RP1A090ZPTR Datenblatt
RP1A090ZPTR Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RP1A090ZPTR
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket MPT6 Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads |
