Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt

RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 72,06 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: RJL6018DPK-00#T0
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 1
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 2
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 3
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 4
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 5
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 6
RJL6018DPK-00#T0 Datenblatt Seite 7
RJL6018DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

265mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3830pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3