RJK6020DPK-00#T0 Datenblatt
RJK6020DPK-00#T0 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 99,32 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJK6020DPK-00#T0
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
