RJK2006DPE-00#J3 Datenblatt
RJK2006DPE-00#J3 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 238,26 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJK2006DPE-00#J3
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-LDPAK Paket / Fall SC-83 |
