RJK0658DPA-00#J5A Datenblatt
RJK0658DPA-00#J5A Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 155,7 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJK0658DPA-00#J5A
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 50W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-WPAK Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad |
