RJK0601DPN-E0#T2 Datenblatt
RJK0601DPN-E0#T2 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 77,29 KB
Renesas Electronics America
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RJK0601DPN-E0#T2
|
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 141nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
