RJH65D27BDPQ-A0#T2 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJH65D27BDPQ-A0#T2
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A Leistung - max 375W Schaltenergie 1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/165ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
