R1LV0816ASD-5SI#B0 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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R1LV0816ASD-5SI#B0
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket 52-TSOP II |
