R1LV0816ASA-7SI#S0 Datenblatt
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |