QRE1113 Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Erfassungsabstand 0.197" (5mm) Erfassungsmethode Reflective Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Ausgabetyp Phototransistor Reaktionszeit 20µs, 20µs Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Erfassungsabstand 0.197" (5mm) Erfassungsmethode Reflective Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Ausgabetyp Phototransistor Reaktionszeit 20µs, 20µs Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Gull Wing |
