PSMN4R8-100PSEQ Datenblatt
PSMN4R8-100PSEQ Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 785,27 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PSMN4R8-100PSEQ
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 278nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 405W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
