PSMN040-200W Datenblatt
PSMN040-200W Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 87,01 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PSMN040-200W,127
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9530pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
