PN5434_D27Z Datenblatt
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 10 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 10 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 150mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 5 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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