PMWD20XN Datenblatt
PMWD20XN Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMWD20XN,118
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 16V Leistung - max 4.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
