PMV40UN Datenblatt
PMV40UN Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 341,14 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMV40UN,215
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 445pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.9W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
