PMV185XN Datenblatt
PMV185XN Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMV185XN,215
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 76pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 325mW (Ta), 1.275W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
