PMT760EN Datenblatt
PMT760EN Datenblatt
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NXP
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PMT760EN,135
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 80V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 800mW (Ta), 6.2W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
