PMGD8000LN Datenblatt
PMGD8000LN Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 332,74 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMGD8000LN,115
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 125mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 5V Leistung - max 200mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
