PMGD175XN Datenblatt
PMGD175XN Datenblatt
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NXP
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PMGD175XN,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 900mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 225mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V Leistung - max 390mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
