PMG45UN Datenblatt
PMG45UN Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMG45UN,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 375mW (Ta), 4.35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSSOP Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
