PMF780SN Datenblatt
PMF780SN Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMF780SN,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 570mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 920mOhm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 560mW (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-323-3 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
