PHT8N06LT Datenblatt
PHT8N06LT Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PHT8N06LT,135
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 5V Vgs (Max) ±13V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-223 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
