PHKD6N02LT Datenblatt
PHKD6N02LT Datenblatt
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Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PHKD6N02LT,518
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V Leistung - max 4.17W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
