PHKD3NQ10T Datenblatt
PHKD3NQ10T Datenblatt
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Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PHKD3NQ10T,518
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 20V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
