PHD38N02LT Datenblatt
PHD38N02LT Datenblatt
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Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PHD38N02LT,118
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 44.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 57.6W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
