PBLS2002S Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PBLS2002S,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 20V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA, 100nA Frequenz - Übergang 100MHz Leistung - max 1.5W Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
