NVD6820NLT4G Datenblatt
NVD6820NLT4G Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 124,96 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NVD6820NLT4G
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 90V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4209pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
