NTS4173PT1G Datenblatt
NTS4173PT1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NTS4173PT1G
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 290mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323) Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
