NTMTS0D6N04CLTXG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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NTMTS0D6N04CLTXG
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 554.5A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.42mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16013pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |