NTHS5445T1 Datenblatt
NTHS5445T1 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 200,51 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NTHS5445T1
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket ChipFET™ Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |
