NTH027N65S3F_F155 Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie FRFET®, SuperFET® II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7690pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 595W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie FRFET®, SuperFET® II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7690pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 595W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
