NTGS1135PT1G Datenblatt
NTGS1135PT1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NTGS1135PT1G
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Vgs (Max) ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 970mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSOP Paket / Fall SOT-23-6 |
