NSTB60BDW1T1 Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 140MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 140MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
