NP23N06YDG-E1-AY Datenblatt
NP23N06YDG-E1-AY Datenblatt
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Renesas Electronics America
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NP23N06YDG-E1-AY
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HSON Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
