NLAS3899BMNTXG Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis DPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:2 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 2.5Ohm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 700mOhm Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.3V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 40ns, 30ns -3db Bandbreite 280MHz Ladungsinjektion 111pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 10pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 300nA Übersprechen - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (3x3) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis DPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:2 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 2.5Ohm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 700mOhm Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.3V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 40ns, 30ns -3db Bandbreite 280MHz Ladungsinjektion 111pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 10pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 300nA Übersprechen - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 16-WFQFN Lieferantengerätepaket 16-WQFN (1.8x2.6) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis DPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:2 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 2.5Ohm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 700mOhm Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.3V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 40ns, 30ns -3db Bandbreite 280MHz Ladungsinjektion 111pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 10pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 300nA Übersprechen - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (3x3) |
