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NLAS3799MNR2G Datenblatt

NLAS3799MNR2G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NLAS3799MNR2G, NLAS3799LMNR2G
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NLAS3799MNR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

DPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:2

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

400mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 30ns

-3db Bandbreite

19MHz

Ladungsinjektion

42pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500nA

Übersprechen

-90dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-WFQFN

Lieferantengerätepaket

16-WQFN (1.8x2.6)

NLAS3799LMNR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

DPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:2

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

400mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 30ns

-3db Bandbreite

19MHz

Ladungsinjektion

42pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500nA

Übersprechen

-90dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-WFQFN

Lieferantengerätepaket

16-WQFN (1.8x2.6)