Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NLAS3699MN1R2G Datenblatt

NLAS3699MN1R2G Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 177,15 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NLAS3699MN1R2G
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 1
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 2
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 3
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 4
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 5
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 6
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 7
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 8
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 9
NLAS3699MN1R2G Datenblatt Seite 10
NLAS3699MN1R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

DPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:2

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

550mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

50mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 4.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 50ns

-3db Bandbreite

20MHz

Ladungsinjektion

50pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

7pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500nA

Übersprechen

-62dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)