NLAS3699BMN1R2G Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NLAS3699BMN1R2G
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Schaltkreis DPDT Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung 2:2 Anzahl der Schaltkreise 2 Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.) 550mOhm Channel-to-Channel-Matching (ΔRon) 50mOhm Spannung - Versorgung, einfach (V +) 1.65V ~ 4.5V Spannungsversorgung, Dual (V ±) - Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.) 50ns, 50ns -3db Bandbreite 20MHz Ladungsinjektion 50pC Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) 7pF Strom - Leckage (IS (aus)) (max.) 500nA Übersprechen -62dB @ 100kHz Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (3x3) |
