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NIS5112D1R2G1 Datenblatt

NIS5112D1R2G1 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 506,28 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: NIS5112D1R2G1, NIS5112D2R2G, NIS5112D1R2G
NIS5112D1R2G1 Datenblatt Seite 1
NIS5112D1R2G1 Datenblatt Seite 2
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NIS5112D1R2G1 Datenblatt Seite 11
NIS5112D1R2G1

ON Semiconductor

NIS5112D1R2G1

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Funktion

Electronic Fuse

Erfassungsmethode

-

Genauigkeit

-

Spannung - Eingang

9V ~ 18V

Strom - Ausgang

2A

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC
NIS5112D2R2G

ON Semiconductor

NIS5112D2R2G

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Funktion

Electronic Fuse

Erfassungsmethode

-

Genauigkeit

-

Spannung - Eingang

9V ~ 18V

Strom - Ausgang

2A

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC
NIS5112D1R2G

ON Semiconductor

NIS5112D1R2G

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Funktion

Electronic Fuse

Erfassungsmethode

-

Genauigkeit

-

Spannung - Eingang

9V ~ 18V

Strom - Ausgang

2A

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC