+86-0755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

NGTB50N65S1WG Datenblatt

NGTB50N65S1WG Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 153,93 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB50N65S1WG
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 1
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 2
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 3
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 4
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 5
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 6
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 7
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 8
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 9
NGTB50N65S1WG Datenblatt Seite 10
NGTB50N65S1WG

ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

1.25mJ (on), 530µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

75ns/128ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247