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NGTB50N120FL2WAG Datenblatt

NGTB50N120FL2WAG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB50N120FL2WAG
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NGTB50N120FL2WAG

ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WAG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

2.15mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

281ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L