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NGTB40N120S3WG Datenblatt

NGTB40N120S3WG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB40N120S3WG
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NGTB40N120S3WG

ON Semiconductor

NGTB40N120S3WG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 40A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

212nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/145ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

163ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3