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NGTB30N120L2WG Datenblatt

NGTB30N120L2WG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB30N120L2WG
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NGTB30N120L2WG

ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

534W

Schaltenergie

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/285ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

450ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247