Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NGTB25N120IHLWG Datenblatt

NGTB25N120IHLWG Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 169,75 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB25N120IHLWG
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 1
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 2
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 3
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 4
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 5
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 6
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 7
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 8
NGTB25N120IHLWG Datenblatt Seite 9
NGTB25N120IHLWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/235ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247