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NGTB25N120FLWG Datenblatt

NGTB25N120FLWG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB25N120FLWG
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NGTB25N120FLWG

ON Semiconductor

NGTB25N120FLWG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

192W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

91ns/228ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247