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NGTB25N120FL3WG Datenblatt

NGTB25N120FL3WG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB25N120FL3WG
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NGTB25N120FL3WG

ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

349W

Schaltenergie

1mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/109ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

114ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3