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NGTB20N135IHRWG Datenblatt

NGTB20N135IHRWG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB20N135IHRWG
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NGTB20N135IHRWG

ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 20A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/245ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247