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NGTB15N60S1EG Datenblatt

NGTB15N60S1EG Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB15N60S1EG
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NGTB15N60S1EG

ON Semiconductor

NGTB15N60S1EG

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

117W

Schaltenergie

550µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220