86-755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

NGTB10N60R2DT4G Datenblatt

NGTB10N60R2DT4G Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 619,86 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NGTB10N60R2DT4G
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 1
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 2
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 3
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 4
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 5
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 6
NGTB10N60R2DT4G Datenblatt Seite 7
NGTB10N60R2DT4G

ON Semiconductor

NGTB10N60R2DT4G

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

72W

Schaltenergie

412µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/120ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK