NESG2101M05-A Datenblatt
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CEL
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NESG2101M05-A
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 17GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn 11dB ~ 19dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 130 @ 15mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket M05 |
